1. 微观

NAND闪存

NAND是非易失性存储技术，

NAND闪存由多个存放以位（bit）为单位的单元构成，这些位通过电荷被打开或关闭，

如何组织这些开关单元来储存在SSD上的数据，也决定了NAND闪存的命名，

比如单级单元（SLC）闪存在每个存储单元中包含一个位。

SLC MLC TCL

SLC

单个颗粒，只存储一位数据

速度快，但容量小，价格贵，寿命最长，读写错误几率小

MLC

单个颗粒，可存储两位数据

速度快，容量大，价格便宜，不如SLC寿命长，读写稳定

TCL

单个颗粒，可存储三位数据

速度慢，容量很大，价格便宜，寿命短。

 

2.宏观

norflash

Intel公司推出，

有寻址和数据总线，随机存取存储器

容量小，价格贵

nandflash

东芝推出

需要SoC提供控制电路

必须以块方式进行读写

接口不统一，各个厂家的nandflash不同

容量大，价格便宜

 

sd

nandflash + 主控IC

主控IC会负责坏块管理等，可节约SoC资源

统一接口

 

inand

相当于芯片化sd卡，

有独立的芯片用于坏块管理等，可节约SoC资源

自带缓存，速度快

统一接口，升级时驱动完全一样，也不需重新布板